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[发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202310031667.7在审
发明人：孙铭浩;郑斗连;丁成官 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C29/04 文献下载
摘要：一种存储器设备的操作方法，包括：获取第一坏字线的地址，该第一坏字线被包括在存储器设备的多条字线中；基于第一坏字线的地址检测与第一坏字线相邻的字线是否是坏的，该与第一坏字线相邻的字线被包括在该多条字线中；将与第一坏字线相邻的字线中的第一字线指定为禁止的字线，该第一字线被检测为第二坏字线；以及经由与第一坏字线相邻的字线当中的第二字线发送第一数据，该第二字线被检测为正常字线。
存储器设备及其操作方法

[发明专利]具有分布式替换字线的存储器-CN201580052543.0有效
发明人：北川真;Y·卢瑟拉 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：存储器包括散布在多条字线之间的多条替换字线。存储器还包括字线控制电路，该字线控制电路被配置为基于多条字线中的字线的位置向不同的字线施加不同的电压，并且用替换字线替换多条字线中的有缺陷字线。
具有分布式替换存储器

[发明专利]存储器老化测试方法-CN202310830298.8在审
发明人：代宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：该方法包括：对m组字线组并行的执行n次老化测试，其中每次老化测试包括：在预定时长内，通过第一目标子字线向每组字线组中与第一目标子字线耦接的第一目标偶数字线施加字线开启电压，通过第一剩余子字线向每组字线组中与第一剩余子字线耦接的第一剩余偶数字线施加字线关闭电压；通过第二目标子字线向每组字线组中与第二目标子字线耦接的第二目标奇数字线施加字线开启电压，通过第二剩余子字线向每组字线组中与第二剩余子字线耦接的第二剩余奇数字线施加字线关闭电压。
存储器老化测试方法

[实用新型]一种半导体器件-CN201922203603.2有效
发明人：吴秉桓 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：包括：衬底，所述衬底上形成有存储单元阵列区，所述存储单元阵列区形成有间隔排布的字线沟槽；字线导电结构，字线导电结构包括字线接触部的字线导电结构和字线接触部之外的字线导电结构；其中，字线接触部的字线导电结构的厚度大于字线接触部之外的字线导电结构的厚度通过形成字线接触部的字线导电结构的厚度大于字线接触部之外的字线导电结构的厚度的字线导电结构，降低了字线接触结构中字线接触孔的开窗位置深度，减少了形成接触孔工艺制程中的工艺时间，降低了接触孔工艺制程中对接触孔开窗深度较浅的接触孔的侧壁的过度侵蚀
一种半导体器件

[发明专利]一种存储器及其编程方法、存储器系统-CN202210426359.X在审
发明人：董志鹏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：其中，所述编程方法包括：根据编程顺序对选定存储单元串进行编程；在对所述选定存储单元串中与所述多个字线中选定的非边缘字线耦接的存储单元进行编程时，对所述多个字线中的边缘字线施加第一通过电压；对与所述边缘字线相邻的非边缘字线施加第二通过电压；其中，所述边缘字线为所述多个字线中与所述源极线相邻的至少一个字线，或者所述多个字线中与所述位线相邻的至少一个字线；所述非边缘字线为所述多个字线中除所述边缘字线之外的字线；所述选定的非边缘字线与所述边缘字线不相邻
一种存储器及其编程方法系统

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN202011349291.7在审
发明人：洪振祐;金灿河;卢羌镐;卢承京;李允宑;李熙元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：非易失性存储器包括均包含多条字线的存储器块。存储器控制器确定所述多条字线中的每条字线的字线强度，基于字线强度调整所述多条字线中的每条字线的状态计数，并且调整所述多条字线中的每条字线的编程参数以减小所述多条字线之间的编程时间变化。
存储装置及其操作方法

[发明专利]用于编程存储器阵列的方法和设备-CN200680019980.3有效
发明人：本迪克·克莱韦兰;李泰元;于承恩;杨嘉;李锋;杨晓宇 -专利权人：桑迪士克3D公司
申请日： 2006-06-13 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：在一个实施例中，在编程各个字线后，设法检测所述字线上的缺陷。如果检测到缺陷，那么用冗余字线修复所述字线。然后重新编程所述字线并重新检查是否有缺陷。在另一个实施例中，在编程各个字线后，设法检测所述字线上的缺陷。如果检测到缺陷，那么将所述字线与先前编程的相邻字线一起修复。在再一个实施例中，在编程各个字线后，设法检测所述字线和先前编程的相邻字线上的缺陷。如果在所述字线上检测到缺陷，那么用冗余字线修复所述字线和所述先前编程的相邻字线。
用于编程存储器阵列方法设备

[发明专利]存储器及包含存储器的存储系统-CN201310364367.7在审
发明人：宋清基 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：一种存储器，其包括：第一至第N字线；第一至第M冗余字线，所述第一至第M冗余字线被配置成以替代第一至第N字线中的M个字线；及控制电路，其被配置成：在第一模式中第一至第M冗余字线中的第K（1≤K≤M）冗余字线替代第一至第N字线中的对应于输入地址的字线的情况下，响应于激活信号而激活邻近于第K冗余字线的至少一个邻近字线。
存储器包含存储系统

[实用新型]一种控制字线泄放电流的装置-CN201520182005.0有效
发明人：梁超 -专利权人：西安华芯半导体有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种控制字线泄放电流的装置，包括VOD电源、VBLH电源、开关V1、开关V2、字线阵列、公共字线以及电流源，字线阵列中的每个字线与公共字线连接，公共字线通过开关V1与VOD电源连接，公共字线通过开关V2与VBLH电源连接，电流源产生泄放电流Ib通过公共字线给字线阵列中的充电字线充电，还包括控制器，控制器用于根据字线阵列中充电字线地址，控制电流源产生需要的泄放电流Ib。本实用新型解决了现有的控制字线泄放电流的装置中存在不同地址的字线使用同样泄放电流时产生过冲或者到达VBLH时间过长的技术问题，本实用新型使用控制器利用字线地址控制泄放电流大小，能够根据需要产生对应的泄放电流，使得字线电压过冲减少。
一种控制字线泄放电流装置

[发明专利]存储器件-CN201510640676.1有效
发明人：权奇昌 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：一种存储器件，包括：第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K(K为自然数)冗余字线；第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N(N是比K大的自然数)冗余字线；以及控制单元，适用于执行控制使得第一冗余字线到第N冗余字线取代第一单元块或第二单元块中的字线，适用于在第一时段中同时刷新第一单元块和第二单元块中的字线，以及适用于在第二时段中顺序地刷新第一冗余字线到第N冗余字线。
存储器件

[发明专利]存储器及其形成方法-CN202010242398.5在审
发明人：雒曲;谢文浩 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种存储器及其形成方法，所述形成方法，在有源区和隔离层中形成字线沟槽，所述形成的字线沟槽包括位于有源区中的第一部分字线沟槽和位于隔离层中的第二部分字线沟槽，且所述第二部分字线沟槽的宽度和深度分别大于第一部分字线沟槽对应的宽度和深度，因而在字线沟槽中形成字线结构时，所述形成的字线结构也包括位于第一部分字线沟槽中的第一部分字线结构和位于第二部分字线沟槽中的第二部分字线结构，且所述第二部分字线结构的宽度和深度均大于第一部分字线结构的宽度和深度，这样“鳍式”结构的字线结构横跨在有源区上相当于增大了字线结构与有源区的接触面积，使得字线结构对沟道的控制能力提高，使得沟槽性晶体管的工作频率提升。
存储器及其形成方法

[发明专利]一种加快字线建立时间的方法和装置-CN202310251247.X在审
发明人：金晓明;汪齐方 -专利权人：普冉半导体（上海）股份有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G11C8/14 文献下载
摘要：本发明涉及电路技术领域，提供了一种加快字线建立时间的方法，包括：设置存储单元阵列中每根字线的解码地址；根据所述存储单元阵列中每根字线的解码地址，控制所述存储单元阵列中的字线进行连续地址读写；其中，在所述字线进行读写时，物理相邻的字线不同时翻转。通过本发明提出了一种新的字线排布方法，使得字线翻转时物理相邻字线不存在同时翻转的情况，从而加快了字线的建立时间。
一种加快建立时间方法装置

[发明专利]用于存储器的低功率字线逻辑的系统和方法-CN201510239132.4有效
发明人：贝克·穆罕默德;保罗·巴西特 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2007-01-04 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供一种用于存储器的低功率字线逻辑的系统和方法。接收存取存储器装置的请求，所述存储器装置包括解码器、多个字线驱动器和多个字线。每一字线与所述多个字线驱动器中的一字线驱动器相关联。选择性地为所述多个字线驱动器中的一字线驱动器供电以存取所述存储器装置的所述地址，其中所述字线驱动器与所述多个字线中与地址位有关的特定字线相关联，而不为所述多个字线中的其它字线供电。
用于存储器功率逻辑系统方法

[发明专利]一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路-CN201810504047.X有效
发明人：刘雯;王建国;何宏瑾 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明公开一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路，包括：字线电压感应模块，通过侦测复制的SRAM存储单元中内部节点电压来实现对施加于SRAM存储单元中传输管栅极的字线WL电压的间接侦测，以判定是否需要进行下字线驱动降挡并输出字线电压降档所需的开关控制信号；下字线驱动幅度控制模块，用于产生字线偏置电压产生模块所需的运放偏置电压，并在开关控制信号的控制下，提供不同档位的字线参考电压；字线偏置电压产生模块，用于产生复制字线电压至运算放大器和字线电压感应模块，并产生字线偏置电压输出至与字线直接相连的字线驱动模块；字线驱动模块，用于在字线偏置电压的控制下产生施加于SRAM存储单元中传输管栅极的字线电压。
一种应用于 sram 调节 wlud 读写辅助电路

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201710593936.3有效
发明人：刘炳晟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统，其可包括：存储器装置，其包括多个存储块，每一存储块包括多个堆叠的字线；以及控制器，其适用于根据字线高度将多个字线划分成两个或更多个字线组，在包括在存储块中的每一个中的字线组中，将相对高访问频率的数据编程到具有相对低物理高度的字线的字线组中，将相对低访问频率的数据编程到具有相对高物理高度的字线的字线组中。
存储器系统及其操作方法

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